中國(guó)粉體網(wǎng)訊 碳化硅是目前發(fā)展成熟的第三代半導(dǎo)體材料,擁有禁帶寬度大、器件極限工作溫度高、臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大、熱導(dǎo)率等顯著的性能優(yōu)勢(shì),在電動(dòng)汽車(chē)、電源、軍工、航天等領(lǐng)域具有廣闊的市場(chǎng)前景。碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈 碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括高純粉料、單晶襯底、外延片 ...
（圖片來(lái)源：科銳）新款650V設(shè)備分為15 mΩ和60 mΩ兩個(gè)版本,采用行業(yè)的科銳第三代C3M? MOSFET技術(shù),與其他碳化硅MOSFET競(jìng)品相比,可將轉(zhuǎn)化損失降低20%,而且可提供通路電阻,以實(shí)現(xiàn)更高效、功率密度更高的解決方案。
今年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),碳化硅（SiC）頗為火熱。 前不久,英飛凌宣布以1.39億美元收購(gòu)初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進(jìn)一步加碼碳化硅市場(chǎng),X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時(shí)候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能,碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開(kāi)始備戰(zhàn)。
目前制約碳化硅功率器件大規(guī)模應(yīng)用的核心原因依然是成本,根據(jù)預(yù)測(cè),2022年有望成為碳化硅價(jià)格下降的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)。據(jù)媒體報(bào)道,近日,投資160億元的長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目,首批施工單體已全面進(jìn)入主體施工階段,批施工單體將于9月底完成基礎(chǔ)施工,春節(jié)前完成所有單體封頂。
碳化硅項(xiàng)目遍地開(kāi)花 2022年或成關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn) 一圖看懂產(chǎn)業(yè)鏈分布 2020/09/08 點(diǎn)擊 251 次 中國(guó)粉體網(wǎng)訊 據(jù)媒體報(bào)道,近日,投資160億元的長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目,首批施工單體已全面進(jìn)入主體施工階段,批施工單體將于9月底完成基礎(chǔ)施工,春節(jié)前完成所有單體封頂。
相較于硅（Si）,采用碳化硅（SiC）基材的元件性能優(yōu)勢(shì)十分的顯著,尤其是在高壓與高頻的性能上,然而,這些優(yōu)勢(shì)卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場(chǎng)規(guī)模,主要的原因出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不 …
中國(guó)電科（山西）碳化硅產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目建筑面積 2.7 萬(wàn)平方米,能容納 600 臺(tái)碳化硅單晶生產(chǎn)爐和 18 萬(wàn)片 N 型晶片的加工檢測(cè)能力,可形成 7.5 萬(wàn)片的碳化硅晶片產(chǎn)能,將徹底解決國(guó)外對(duì)我國(guó)碳化硅封鎖的局面,實(shí)現(xiàn)完全自主可供。
在功率半導(dǎo)體發(fā)展歷史上,功率半導(dǎo)體可以分為三代： 代半導(dǎo)體材料：鍺、硅等單晶半導(dǎo)體材料,硅擁有1.1eV的禁帶寬度以及氧化后非常穩(wěn)定的特性。 代半導(dǎo)體材料：砷化鎵、銻化銦等化合物半導(dǎo)體材料,砷化鎵…
行中衡 01-16 13:09 天通股份,碳化硅、SAW、CMP半導(dǎo)體設(shè)備、OLED設(shè)備 華為哈勃科技投資SAW濾波器好達(dá)電子,天通壓電晶體材料受益國(guó)產(chǎn)化加速 小怪獸 旭日大數(shù)據(jù) 2020年1月10 華為 海思...
電沉積金碳化硅復(fù)合鍍層 CN 不銹鋼碳化硅酸度電極及制造法 CN 熱鍍鋅碳化硅槽及附屬設(shè)備 CN 碳化硅(SiC) 二極管溫度傳感器 CN 一種提高風(fēng)機(jī)效率的碳化硅涂料 CN 用粘土原料制備碳化硅晶須及其方法 CN 新型聚碳硅烷組合物其制法以及在碳化硅為 ...
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政策分析：2015年5月,國(guó)務(wù)院印發(fā)了《中國(guó)制造2025》。其中,4次提到了以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件。 2018年7月,國(guó)內(nèi)《第三代半導(dǎo)體電力電子技術(shù)路線圖》正式發(fā)布。
碳化硅生產(chǎn)線 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 碳化硅是一種熱傳導(dǎo)性好、硬度高的人造材料。 目前已被廣泛應(yīng)用于超耐火材料及研磨材料等領(lǐng)域,本次著重介紹綠碳化硅微粉的生產(chǎn)線。同時(shí),它也是太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的工程性加工材料,在未來(lái)科技的發(fā)展中占據(jù)非常重要的位置。
碳化硅又稱(chēng)碳硅石,是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用很廣的一種,可以稱(chēng)為金鋼砂或耐火砂。 目前中國(guó)工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,主要 ...
目前,公司已建成完整的碳化硅襯底生產(chǎn) 線,是國(guó)內(nèi)的碳化硅襯底生產(chǎn)企業(yè)。中科集團(tuán)2所 中科集團(tuán)二所成立于1962年,是專(zhuān)業(yè)從事電子先進(jìn)制造技術(shù)研究和電子專(zhuān)用設(shè)備研發(fā)制造的研究所。目前,二所已形成以液晶顯示器件生產(chǎn)設(shè)備 ...
碳化硅作為主要的物料在許多領(lǐng)域都發(fā)揮著重要作用,如何對(duì)該礦進(jìn)行生產(chǎn)與加工呢？加工該礦過(guò)程中要用到哪些設(shè)備呢？本文針對(duì)此類(lèi)問(wèn)題進(jìn)行詳細(xì)的分析與介紹：
今年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),碳化硅（SiC）頗為火熱。 前不久,英飛凌宣布以1.39億美元收購(gòu)初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進(jìn)一步加碼碳化硅市場(chǎng),X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時(shí)候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能,碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開(kāi)始備戰(zhàn)。
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱(chēng)碳硅石。在當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用廣泛、經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱(chēng)為金鋼砂 ...
碳化硅的生產(chǎn)工藝和投資估算 碳化硅是人工合成的材料,其化學(xué)計(jì)量成分以克分子計(jì)：Si 50%、C 50%以質(zhì)量計(jì)：Si 70.04%、C 29.96%,相對(duì)分子質(zhì)量為 40.09。 碳化硅有兩種晶形：β-碳化硅類(lèi)似閃鋅礦結(jié)構(gòu)的等軸晶系；α-碳化硅則為晶體排列致密 的六方晶系。
wenku.baidu.com› 百度文庫(kù)› 行業(yè)資料生產(chǎn)設(shè)備 生產(chǎn)解決方案 技術(shù)能力 半導(dǎo)體 生產(chǎn)設(shè)備 服務(wù)與咨詢(xún) 微電子技術(shù) 生產(chǎn)設(shè)備 服務(wù)與咨詢(xún) 高效率纖維 碳纖維的可持續(xù)和競(jìng)爭(zhēng)性生產(chǎn)解決方案 高性能纖維的工藝方案 服務(wù) & 咨詢(xún) 客戶(hù)服務(wù) 光伏技術(shù) 備件管理 升級(jí) 服務(wù)與支持 培訓(xùn) 半導(dǎo)體 & 微電子 服務(wù)與
這項(xiàng)在設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施、公司人力方面的巨大投入,將為我們顯著擴(kuò)大產(chǎn)能。與2017財(cái)年季度(也是我們開(kāi)始擴(kuò)大產(chǎn)能的階段)相比較,能夠帶來(lái)SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長(zhǎng)和材料生 …
碳化硅(SiC)作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率元器件。 但SiC在天然環(huán)境下非常罕見(jiàn),早是人們?cè)谔?yáng)系剛誕生的46億年前的隕石中發(fā)現(xiàn)了少量這種物質(zhì),因此其又被稱(chēng)為"經(jīng)歷46億年時(shí)光之旅的半導(dǎo)體材料"。
今年3月,中國(guó)電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地在山西轉(zhuǎn)型綜合改革示范區(qū)正式投產(chǎn),批設(shè)備正式啟動(dòng)。 基地一期項(xiàng)目可容納600臺(tái)碳化硅單晶生長(zhǎng)爐,項(xiàng)目建成后將具備年產(chǎn)10萬(wàn)片4-6英寸N型碳化硅單晶晶片、5萬(wàn)片4-6英寸高純半絕緣型碳化硅單晶晶片的生產(chǎn)能力,是目前國(guó)內(nèi)的碳化硅材料 ...
隨著市場(chǎng)發(fā)展,碳化硅在能源、基礎(chǔ)設(shè)備,汽車(chē)、工業(yè)等設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。2014年,碳化硅還是一個(gè)不到百萬(wàn)美金的市場(chǎng),2019年已經(jīng)接近800百萬(wàn) ...
羅姆在早前發(fā)布新聞稿宣稱(chēng),將擴(kuò)增使用于電動(dòng)車(chē)(EV)等用途的碳化硅(SiC)電源控制芯片產(chǎn)能,將在旗下生產(chǎn)子公司「ROHM Apollo」的筑后工廠(福岡縣)內(nèi)興建新廠房,預(yù)計(jì)于2019年2月動(dòng)工、2020年12月完工。此外,羅姆于SiC電源控制芯片事業(yè)策略 ...
例如,硅材料的極限工作溫度為 300 ℃,而碳化硅可以達(dá)到 600 ℃以上,硅材料的熱導(dǎo)率僅為 1.5W · cm-1 · K-1,而碳化硅的熱導(dǎo)率可高達(dá) 4.9W · cm-1 · K-1,這使得碳化硅在一定工作溫度內(nèi),無(wú)需增加散熱裝置,有利于設(shè)備的小型化發(fā)展；與傳統(tǒng)的硅器件SiC
【第三代半導(dǎo)體將寫(xiě)入"十四五規(guī)劃" 這些上市公司有涉及】日前,在南京世界半導(dǎo)體大會(huì)暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專(zhuān)家咨詢(xún)委員會(huì)委員、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲透露：國(guó)家2030計(jì)劃和"十四五"國(guó)家研發(fā)計(jì)劃都已經(jīng)明確,第三代半導(dǎo)體是 ...
AIX G5 WW C 以的運(yùn)營(yíng)成本實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)品質(zhì)量 2019年11月7日 - 全球的半導(dǎo)體行業(yè)沉積設(shè)備供應(yīng)商 AIXTRON 愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司（法蘭克福證券交易所： AIXA ）宣布,AIXTRON已為瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司提供了一臺(tái)AIX G5 WW C 設(shè)備,支持其 進(jìn)一步開(kāi)發(fā)下一代碳化硅（SiC）外延片產(chǎn)品,主要用于 ...
化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)是用來(lái)制備高純、高性能固體薄膜的主要技術(shù)。在典型的CVD工藝過(guò)程中,把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中,在外部能量作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在襯底表面形成需要的薄膜。
據(jù)媒體報(bào)道,華為正試圖說(shuō)服三星及臺(tái)積電,為其打造采用非美系設(shè)備的先進(jìn)工藝生產(chǎn)線。根據(jù)供應(yīng)鏈消息,兩大晶圓廠均收到這項(xiàng)請(qǐng)求,并正在積極規(guī)劃之中。 此前知名分析師陸行之表示
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這項(xiàng)在設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施、公司人力方面的巨大投入,將為我們顯著擴(kuò)大產(chǎn)能。與2017財(cái)年季度(也是我們開(kāi)始擴(kuò)大產(chǎn)能的階段)相比較,能夠帶來(lái)SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長(zhǎng)和材料生 …
國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)進(jìn)展 1. 量產(chǎn)技術(shù)漸穩(wěn)定,商業(yè)化進(jìn)程加速 2019 年我國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)已經(jīng)基本完成從小批量的研發(fā)向規(guī)?；?、商業(yè)化生產(chǎn)的成功跨越。各環(huán)節(jié)技術(shù)、性能趨于穩(wěn)定,規(guī)模化生產(chǎn)工藝、產(chǎn)品性?xún)r(jià)比等逐步得到市場(chǎng)認(rèn)可。
與非網(wǎng) 3 月 3 日訊,近日,中國(guó)電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地以視頻方式舉行了投產(chǎn)儀式。 此次投產(chǎn)的基地將建成國(guó)內(nèi)的碳化硅（SiC）材料供應(yīng)基地,一期項(xiàng)目于 2019 年 4 月 1 日開(kāi)工建設(shè),同年 9 月 26 日封頂。
來(lái)源：內(nèi)容來(lái)自「CTIMES」,謝謝。相較于硅（Si）,采用碳化硅（SiC）基材的元件性能優(yōu)勢(shì)十分的顯著,尤其是在高耐壓與耐高溫的性能上,然而,這些優(yōu)勢(shì)卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場(chǎng)規(guī)模,讓這個(gè)問(wèn)世已十多年的高性能元件一直束之高閣。主要的原因出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不順暢。
前不久,英飛凌宣布以1.39億美元收購(gòu)初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進(jìn)一步加碼碳化硅市場(chǎng),X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時(shí)候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能,碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開(kāi)始備戰(zhàn)。那么國(guó)內(nèi) ...
隨著 5G、電動(dòng)車(chē)等新應(yīng)用興起,萬(wàn)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來(lái)臨,對(duì)功率半導(dǎo)體需求增溫,碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 等化合物半導(dǎo)體材料躍升成市場(chǎng)焦點(diǎn)；從上游的半導(dǎo)體晶圓來(lái)看,碳化硅晶圓是勢(shì)頭正熱的新材料,不過(guò),究竟是什么原因,讓既有廠商與新進(jìn)者,爭(zhēng)相擴(kuò)產(chǎn)或布局？
雖然有長(zhǎng)晶設(shè)備,但碳化硅 晶圓的生產(chǎn)仍是十分困難,不僅是因?yàn)楫a(chǎn)能仍十分有限,而且品質(zhì)十分的不穩(wěn)定。圖1 : 碳化硅與硅晶的生產(chǎn)條件比較。（制圖/CTIMES） 以目前良率的HTCVD法為例,它是以攝氏15002500度的高溫下,導(dǎo)入高純度的硅烷 ...
電沉積金碳化硅復(fù)合鍍層 CN 不銹鋼碳化硅酸度電極及制造法 CN 熱鍍鋅碳化硅槽及附屬設(shè)備 CN 碳化硅(SiC) 二極管溫度傳感器 CN 一種提高風(fēng)機(jī)效率的碳化硅涂料 CN 用粘土原料制備碳化硅晶須及其方法 CN 新型聚碳硅烷組合物其制法以及在碳化硅為 ...
wenku.baidu.com› 百度文庫(kù)› 行業(yè)資料而硅外延設(shè)備在感應(yīng)加熱高溫控制技術(shù)、氣流場(chǎng)、溫度場(chǎng)模擬仿真技術(shù)等方面取得了重大的突破,達(dá)成了的外延工藝結(jié)果,獲得多家國(guó)內(nèi)主流生產(chǎn)線批量采購(gòu)。面向LED領(lǐng)域介質(zhì)膜沉積的PECVD設(shè)備,憑借的工藝性能和產(chǎn)能優(yōu)勢(shì),已成為L(zhǎng)ED客戶(hù)擴(kuò)產(chǎn)優(yōu)選
多年來(lái),芯思想研究院（ChipInsights）對(duì)國(guó)內(nèi) 12 英寸、8 英寸、6 英寸晶圓生產(chǎn)線的情況進(jìn)行了長(zhǎng)期深入的跟蹤調(diào)研。根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計(jì),截止 ...
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這項(xiàng)在設(shè)備、基礎(chǔ)設(shè)施、公司人力方面的巨大投入,將為我們顯著擴(kuò)大產(chǎn)能。與2017財(cái)年季度(也是我們開(kāi)始擴(kuò)大產(chǎn)能的階段)相比較,能夠帶來(lái)SiC碳化硅晶圓制造產(chǎn)能的30倍增長(zhǎng)和材料生 …
原標(biāo)題：國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)布局加速中 露笑科技 欲突破SiC晶體制備難題 來(lái)源：證券日?qǐng)?bào)網(wǎng) 本報(bào)見(jiàn)習(xí)記者 吳文婧 近日,隨著小米氮化鎵快充頭的發(fā)布 ...
國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)進(jìn)展 1. 量產(chǎn)技術(shù)漸穩(wěn)定,商業(yè)化進(jìn)程加速 2019 年我國(guó)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域技術(shù)已經(jīng)基本完成從小批量的研發(fā)向規(guī)模化、商業(yè)化生產(chǎn)的成功跨越。各環(huán)節(jié)技術(shù)、性能趨于穩(wěn)定,規(guī)?；a(chǎn)工藝、產(chǎn)品性?xún)r(jià)比等逐步得到市場(chǎng)認(rèn)可。
來(lái)源：內(nèi)容來(lái)自「CTIMES」,謝謝。相較于硅（Si）,采用碳化硅（SiC）基材的元件性能優(yōu)勢(shì)十分的顯著,尤其是在高耐壓與耐高溫的性能上,然而,這些優(yōu)勢(shì)卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場(chǎng)規(guī)模,讓這個(gè)問(wèn)世已十多年的高性能元件一直束之高閣。主要的原因出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不順暢。
前不久,英飛凌宣布以1.39億美元收購(gòu)初創(chuàng)企業(yè)Siltectra,獲得后者創(chuàng)新技術(shù)ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上,進(jìn)一步加碼碳化硅市場(chǎng),X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時(shí)候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能,碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開(kāi)始備戰(zhàn)。那么國(guó)內(nèi) ...
由于碳化硅是資源性商品,2013年以前我國(guó)對(duì)碳化硅實(shí)施出口配額管理制度。抑制了碳化硅的出口。2013年1月1日,商務(wù)部取消碳化硅出口配額之后,2013年碳化硅出口量激增,2013年出口量達(dá)到28.68萬(wàn)噸,較2012年增長(zhǎng)74.13%。
雖然有長(zhǎng)晶設(shè)備,但碳化硅 晶圓的生產(chǎn)仍是十分困難,不僅是因?yàn)楫a(chǎn)能仍十分有限,而且品質(zhì)十分的不穩(wěn)定。圖1 : 碳化硅與硅晶的生產(chǎn)條件比較。（制圖/CTIMES） 以目前良率的HTCVD法為例,它是以攝氏15002500度的高溫下,導(dǎo)入高純度的硅烷 ...
隨著市場(chǎng)發(fā)展,碳化硅在能源、基礎(chǔ)設(shè)備,汽車(chē)、工業(yè)等設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。2014年,碳化硅還是一個(gè)不到百萬(wàn)美金的市場(chǎng),2019年已經(jīng)接近800百萬(wàn) ...
相較于硅（Si）,采用碳化硅（SiC）基材的元件性能優(yōu)勢(shì)十分的顯著,尤其是在高壓與高頻的性能上,然而,這些優(yōu)勢(shì)卻始終未能轉(zhuǎn)換成市場(chǎng)規(guī)模,主要的原因出在碳化硅晶圓的制造和產(chǎn)能的不 …
【研究報(bào)告內(nèi)容摘要】 晶澳科技擴(kuò)產(chǎn)20GW單晶項(xiàng)目,單晶龍頭直接受益8月13日晶澳科技全資子公司晶澳太陽(yáng)能與曲靖市人民政府簽訂相關(guān)協(xié)議,計(jì)劃投資約58億元用于建設(shè)20GW單晶拉棒及切片項(xiàng)目。按照目前單GW約2億元的設(shè)備投資額估算,將
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