晶體缺陷（crystal defects）是指晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)完整性受到破壞的所在位置。按其延展程度可分成點(diǎn)缺陷、線缺陷和面缺陷。在理想完整的晶體中,原子按一定的次序嚴(yán)格地處在空間有規(guī)則的、周期性的格點(diǎn)上。但在實(shí)際的晶體中,由于晶體形成條件、原子的熱運(yùn)動(dòng)及其它條件的影響,原子的排列不可 …
目前看文獻(xiàn)的過(guò)程中看到兩種說(shuō)法,一種是晶格缺陷可以促進(jìn)光生電子-空穴的分離,比如什么光生電子會(huì)陷入氧空位可以更容易轉(zhuǎn)移到活性位點(diǎn)之類(lèi)的,但也有說(shuō)晶格缺陷會(huì)成為復(fù)合,所以到底是什么情況呢？原文-----晶體表面缺陷如果成為電子或空穴的陷阱則可抑制電子一空穴復(fù)合,提高其 ...
現(xiàn)在來(lái)用晶格缺陷理論來(lái)解釋石膏的脫水過(guò)程。 石膏在一定的溫度下發(fā)生脫水相變過(guò)程,在石膏晶體內(nèi)部首當(dāng)其沖脫水的必然是從晶體缺陷部位開(kāi)始。原始石庸本身也存在著一些缺陷,一顆二水石膏的晶片而言,其表面決不是均勻的。
結(jié)構(gòu)水和結(jié)晶水一樣,結(jié)構(gòu)水的失水溫度也依礦物的種類(lèi)不同而異。 例如,高嶺石的失水溫度為580℃,而滑石則為950℃。有些礦物的結(jié)構(gòu)水,只一次即可全部析出,有的則分幾次,每次都有一個(gè)確定的溫度與之對(duì)應(yīng)。例如鎂蠕綠泥石在610℃時(shí),析出"水鎂石層"中的(OH)-,而后在820℃時(shí),再析出八 …
結(jié)晶學(xué)晶體缺陷_物理_自然科學(xué)_專(zhuān)業(yè)資料 846人閱讀|24次下載 結(jié)晶學(xué)晶體缺陷_物理_自然科學(xué)_專(zhuān)業(yè)資料。第六章：晶體缺陷 § 6.1 空位、雜質(zhì)和填隙原子 § 6.2 位錯(cuò) § 6.3 表面、晶界、疇界 補(bǔ)充：光子晶體和超構(gòu)材料 第六章：晶體缺陷 晶體缺陷是晶體中的原子對(duì)理想位置的靜態(tài)偏離,包括平
wenku.baidu.com› 百度文庫(kù)› 高校與高等教育面缺陷 晶界原子排列的示意圖 亞晶界 關(guān)于晶格缺陷的兩點(diǎn)說(shuō)明 (1)晶體缺陷都會(huì)引起晶格畸變。 使金屬的物理、化學(xué)和機(jī)械性能顯著變化。 晶粒越細(xì),金屬材料的強(qiáng)度、硬度越高。 (2)晶格缺陷都是運(yùn)動(dòng)的。
wenku.baidu.com› 百度文庫(kù)› 高校與高等教育在半導(dǎo)體晶格中引入缺陷位置或者改變結(jié)晶度,以捕獲導(dǎo)帶中的電子；b. 爭(zhēng)奪電子,減少了TiO 2 等光催化劑表面光生電子與光生空穴的復(fù)合,使得光催化劑中產(chǎn)生更多的.OH和.O 2-,提高了催化劑的活性。金屬陽(yáng)離子摻雜的不僅可以提高光催化效率,還可以 ...
晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)中的質(zhì)點(diǎn)（原子、離子、分子、原子團(tuán)）有規(guī)則地在三維空間呈周期性重復(fù)排列,組成一定形式的晶格,外形上表現(xiàn)為一定形狀的幾何多面體。 組成某種幾何多面體的平面稱(chēng)為晶面,由于生長(zhǎng)的條件不同,晶體在外形上可能有些歪斜,但同種晶體晶面間夾角（晶面角）是一定的,稱(chēng)為 ...
一是提高光催化劑粒子的結(jié)晶度,從而減少晶格缺陷的數(shù)量。二是將少量鋁原子融入晶格中,減少晶格中的化學(xué)缺陷 數(shù)量。另外,研究人員發(fā)現(xiàn),在鈦酸鍶晶體中,電子和空穴實(shí)際上會(huì)聚集在不同的晶體面上。于是,研究人員利用這個(gè)特點(diǎn),采用逐步光 ...
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晶體的分布非常廣泛,自然界的固體 晶體 物質(zhì)中,絕大多數(shù)是晶體。 氣體、液體和非晶物質(zhì)在一定的合適條件下也可以轉(zhuǎn)變成晶體。1.長(zhǎng)程有序:晶體內(nèi)部原子在少在微米級(jí)范圍內(nèi)的規(guī)則排列。 2.均勻性:晶體內(nèi)部各個(gè)部分的宏觀性質(zhì)是相同的。 3.各向異性:晶體中不同的方向上具有不同的物理性質(zhì)。
輕燒鎂(Caustic calcined magnesia) 將菱鎂礦、水鎂石和由海水或鹵水中提取的氫氧化鎂經(jīng)800~1000℃左右煅燒,使其分解排出CO2或H2O,即得到輕燒鎂粉(Caustic calcined magnesia),也稱(chēng)輕燒氧化鎂、苛性氧化鎂或輕燒鎂,俗稱(chēng)苦土粉。 輕燒鎂粉 ...
α型半水石膏的晶體缺陷少,而β型半水石膏的晶體缺陷多 ③P2O5含量：α型半水石膏在液相中生成,發(fā)生了重結(jié)晶作用,使晶格中的P2O5被釋放出來(lái),經(jīng)過(guò)濾和洗滌使有害雜質(zhì)影響降到小,同時(shí)人為控制了結(jié)晶的形態(tài),使需水量較小,所以強(qiáng)度很高。
而摻雜鋁離子后,可以減少晶格中的化學(xué)缺陷,經(jīng)過(guò)熔鹽法處理后的催化劑,具有較高的結(jié)晶度,更有利于電子和空穴移動(dòng)到催化劑表面,防止二者在參與分解水前又復(fù)合,降低量子效率。光催化顆粒分解水示意圖。圖片來(lái)源： Nature [8]
材料結(jié)構(gòu)和形貌表征結(jié)果表明, 高錳缺陷含量的 γ-MnOOH 結(jié)晶性相對(duì)較差, 表面晶格條紋畸變及化學(xué)鍵無(wú)序性很大, 錳的平均價(jià)態(tài)較高; H2-TPR 和 O2-TPD 的測(cè)試結(jié)果表明, 添加硫酸制備的催化劑起始還原溫度低, 還原過(guò)程連續(xù)性及晶格氧的遷移轉(zhuǎn)化能力增強(qiáng),,
本發(fā)明是關(guān)于晶圓制造領(lǐng)域,尤其有關(guān)于一種晶圓熱處理的方法。背景技術(shù)作為制造半導(dǎo)體器件原料之一的單晶硅經(jīng)由被稱(chēng)之為柴氏長(zhǎng)晶法(Czochralskiprocess,簡(jiǎn)稱(chēng)CZ法)、浮融帶長(zhǎng)晶法(Floatingzonemethod,簡(jiǎn)稱(chēng)FZ法)等晶體生長(zhǎng)技術(shù)生長(zhǎng)成圓柱形的單晶硅晶錠(ingot)。以CZ法為例,硅石被放置在坩鍋爐中加熱 ...
江陸洋, 李昊亮, 吳限, 邱漢迅, 李靜, 楊俊和. 石墨烯量子點(diǎn)用于修復(fù)石墨烯結(jié)構(gòu)缺陷及其薄膜導(dǎo)熱性能研究[J]. 上海理工大學(xué)學(xué)報(bào), 2020, 42(2): .
液體中晶體形核過(guò)程是一個(gè)十分復(fù)雜且知之甚少的領(lǐng)域,20世紀(jì)初期,新方法-分子動(dòng)力學(xué)模擬的出現(xiàn)開(kāi)始打破局面。液體中晶體形核過(guò)程對(duì)氣候變化、醫(yī)藥生產(chǎn)等領(lǐng)域有重大影響。因此,科學(xué)家利用分子動(dòng)力學(xué)模擬做了大量的工作研究,期望對(duì)該領(lǐng)域有更深入的了解,造福人民生活。
石墨烯的表征大體可分為兩類(lèi): 一類(lèi)為結(jié)構(gòu)評(píng)價(jià),主要是對(duì)制備出的石墨烯片層結(jié)構(gòu)、缺陷濃度、還原程度等方面進(jìn)行表征,以判斷石墨烯質(zhì)量；另 ...
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晶體內(nèi)部的原子是按一定的幾何規(guī)律排列的。為了便于理解,把原子看成是一個(gè)球體,則金屬晶體是由這些小球有規(guī)律堆積而成的物質(zhì)。為了形象地表示晶體中原子排列的規(guī)律,可以將原子簡(jiǎn)化成一個(gè)點(diǎn),用假想的線將這些點(diǎn)連接起來(lái),構(gòu)成有明顯規(guī)律性的空間格架。
結(jié)晶學(xué)中將晶格缺陷 分為了點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷等,下面我們將系統(tǒng)寶石學(xué)中列舉的六種常見(jiàn)的晶格缺陷簡(jiǎn)單的做一個(gè)介紹。1、鑲嵌構(gòu)造 鑲嵌構(gòu)造實(shí)際上是面缺陷的一種,它的晶體結(jié)構(gòu)可以看做是由很多相互取向并非嚴(yán)格一致,結(jié)晶方位的 ...
現(xiàn)在來(lái)用晶格缺陷理論來(lái)解釋石膏的脫水過(guò)程。 石膏在一定的溫度下發(fā)生脫水相變過(guò)程,在石膏晶體內(nèi)部首當(dāng)其沖脫水的必然是從晶體缺陷部位開(kāi)始。原始石庸本身也存在著一些缺陷,一顆二水石膏的晶片而言,其表面決不是均勻的。
晶格缺陷理論來(lái)解釋石膏的脫水過(guò)程 當(dāng)石膏聚集的熱能足以克服個(gè)別晶胞的分子間引力后,石膏粉生產(chǎn)設(shè)備會(huì)在晶格上產(chǎn)生位移的缺陷,水分子沿著這些晶格缺陷和原有的表面缺陷及裂縫脫出,在顯微鏡下很容易觀察到這些水的出露點(diǎn)。
金屬晶格缺陷或點(diǎn)缺陷濃度 怎么表征？請(qǐng)高手幫忙。 回復(fù)此樓 » 猜你喜歡 基金祈福,散金幣嘍 已經(jīng)有73人回復(fù) 哪里可以測(cè)XPS,做鋰電池負(fù)極拆解后測(cè)試的,設(shè)備精度高些 ...
一般合金的室溫度決定于兩個(gè)基本因素——金屬的原子結(jié)合力和對(duì)位錯(cuò)滑移的阻力,點(diǎn)焊機(jī)電極銅合金提高強(qiáng)度通常是用增加晶格缺陷的不均勻性,增大對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的阻力,這種阻力隨著金屬溫度的升高、原子活動(dòng)能量的增大、原子間結(jié)合力的降低而減少,使金屬的熱強(qiáng)度和硬度下降。
這次,他們使用了多種方法來(lái)解決電荷復(fù)合問(wèn)題：一是提高光催化劑顆粒的結(jié)晶度,從而減少晶格缺陷；二是在晶格中摻雜少量鋁原子,從而減少晶格中的化學(xué)缺陷。這些缺陷都可能成為電子和空穴 …
東南大學(xué)物理學(xué)院金蘭教授課題組研究了氧分子在MAPbI 3 晶格中的擴(kuò)散行為,闡明了水和表面缺陷在MAPbI 3 光氧化降解中的促進(jìn)作用。 通過(guò)性原理計(jì)算,他們發(fā)現(xiàn)氧分子在MAPbI 3 晶格中的自發(fā)擴(kuò)散是比較困難的,光氧化反應(yīng)只集中在MAPbI 3 表面。 ...
問(wèn)題1中提到的ZrO2中摻雜Y2O3應(yīng)該是用于穩(wěn)定氧化鋯,抑制氧化鋯的晶型轉(zhuǎn)變。這里為了能使Y2O3易于進(jìn)入ZrO2的晶格,降低結(jié)晶溫度,通常用液相法來(lái)制備,實(shí)現(xiàn)原料在原子級(jí)別的均勻混合,從而縮短結(jié)晶過(guò)程中原子的擴(kuò)散路徑,在較低溫度下得到參雜的。
來(lái)自東京大學(xué)、信州大學(xué)的研究者發(fā)現(xiàn)了一種新的催化劑,用光分解水的效率（EQE）高達(dá) 96%,還登上了一期的 Nature。 為了衡量催化劑光解效率,科學(xué)家們定義了2個(gè)物理量： 內(nèi)部量子效 …
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晶體的分布非常廣泛,自然界的固體 晶體 物質(zhì)中,絕大多數(shù)是晶體。 氣體、液體和非晶物質(zhì)在一定的合適條件下也可以轉(zhuǎn)變成晶體。1.長(zhǎng)程有序:晶體內(nèi)部原子在少在微米級(jí)范圍內(nèi)的規(guī)則排列。 2.均勻性:晶體內(nèi)部各個(gè)部分的宏觀性質(zhì)是相同的。 3.各向異性:晶體中不同的方向上具有不同的物理性質(zhì)。
這次,他們使用了多種方法來(lái)解決電荷復(fù)合問(wèn)題：一是提高光催化劑顆粒的結(jié)晶度,從而減少晶格缺陷；二是在晶格中摻雜少量鋁原子,從而減少晶格中的化學(xué)缺陷。這些缺陷都可能成為電子和空穴 …
金屬晶格缺陷或點(diǎn)缺陷濃度 怎么表征？請(qǐng)高手幫忙。 回復(fù)此樓 » 猜你喜歡 基金祈福,散金幣嘍 已經(jīng)有73人回復(fù) 哪里可以測(cè)XPS,做鋰電池負(fù)極拆解后測(cè)試的,設(shè)備精度高些 ...
一是提高光催化劑粒子的結(jié)晶度,從而減少晶格缺陷的數(shù)量。二是將少量鋁原子融入晶格中,減少晶格中的化學(xué)缺陷 數(shù)量。 另外,研究人員發(fā)現(xiàn),在鈦酸鍶晶體中,電子和空穴實(shí)際上會(huì)聚集在不同的晶體面上。于是,研究人員利用這個(gè)特點(diǎn),采用逐步光 ...
一是提高光催化劑粒子的結(jié)晶度,從而減少晶格缺陷的數(shù)量。 二是將少量鋁原子融入晶格中,減少晶格中的化學(xué)缺陷 數(shù)量。 另外,研究人員發(fā)現(xiàn),在鈦酸鍶晶體中,電子和空穴實(shí)際上會(huì)聚集在不同的晶體面上。 于是,研究人員利用這個(gè)特點(diǎn) ...
原標(biāo)題：紫外線下水分解制氫效率超96%：日本科學(xué)家改進(jìn)光催化劑 1980年,日本信州大學(xué)超材料研究計(jì)劃教授、東京大學(xué)教授堂免一成 （Kazunari Domen ...
α型半水石膏的晶體缺陷少,而β型半水石膏的晶體缺陷多 ③P2O5含量：α型半水石膏在液相中生成,發(fā)生了重結(jié)晶作用,使晶格中的P2O5被釋放出來(lái),經(jīng)過(guò)濾和洗滌使有害雜質(zhì)影響降到小,同時(shí)人為控制了結(jié)晶的形態(tài),使需水量較小,所以強(qiáng)度很高。
而摻雜鋁離子后,可以減少晶格中的化學(xué)缺陷,經(jīng)過(guò)熔鹽法處理后的催化劑,具有較高的結(jié)晶度,更有利于電子和空穴移動(dòng)到催化劑表面,防止二者在參與分解水前又復(fù)合,降低量子效率。光催化顆粒分解水示意圖。圖片來(lái)源： Nature [8]
結(jié)晶學(xué)密度。指由原子組成的沒(méi)有缺陷的連續(xù)晶格 計(jì)算出來(lái)的理想密度。 2. 理論密度。與結(jié)晶學(xué)密度同義,但考慮了固溶體和多相。 3. 體積密度。陶瓷體實(shí)際測(cè)出的密度,包括陶瓷內(nèi)部所有的晶格缺陷,各種相組成和制造中形成的氣孔 ...
72 73 74 7.3.6 水及其存在形式 結(jié)晶水：又稱(chēng)化學(xué)結(jié)合水,根據(jù)其結(jié)合力的強(qiáng)弱, 又分為強(qiáng)結(jié)晶水和弱結(jié)晶水。 強(qiáng)結(jié)晶水：又稱(chēng)晶體配位水,以O(shè)H離子狀態(tài)存在, 并占有晶格上的固定位置,和其他元素有確定的含量 比,結(jié)合力強(qiáng)。
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超晶格電子輻照缺陷的亞穩(wěn)態(tài)特性-電子輻照缺陷 超晶格 亞穩(wěn)態(tài) 關(guān)鍵詞: 電子輻照缺陷 超晶格 亞穩(wěn)態(tài)[gap=1431]Keywordselectronirradiation-induceddefects,superlattices,metastability,DLTS 基于2708個(gè) …
晶體不規(guī)則或者有缺陷,都是無(wú)序度大的表現(xiàn)。所以小晶體的熵比大晶體高,無(wú)規(guī)則晶體的熵比規(guī)則晶體的高,有缺陷晶體的熵比晶體高。在說(shuō)的簡(jiǎn)單點(diǎn),把一顆鉆石砸碎,熵是變大的。-----但是還有一個(gè)方面沒(méi)有考慮,是表面問(wèn)題。
本發(fā)明是關(guān)于晶圓制造領(lǐng)域,尤其有關(guān)于一種晶圓熱處理的方法。背景技術(shù)作為制造半導(dǎo)體器件原料之一的單晶硅經(jīng)由被稱(chēng)之為柴氏長(zhǎng)晶法(Czochralskiprocess,簡(jiǎn)稱(chēng)CZ法)、浮融帶長(zhǎng)晶法(Floatingzonemethod,簡(jiǎn)稱(chēng)FZ法)等晶體生長(zhǎng)技術(shù)生長(zhǎng)成圓柱形的單晶硅晶錠(ingot)。以CZ法為例,硅石被放置在坩鍋爐中加熱 ...
智慧樹(shù)單元答案寫(xiě)的文章: 中國(guó)大學(xué)結(jié)晶學(xué)及礦物學(xué)答案MOOC慕課網(wǎng)課答案-中國(guó)大學(xué)結(jié)晶學(xué)及礦物學(xué)答案MOOC慕課網(wǎng)課答案 打開(kāi)右邊網(wǎng)址即可查題【網(wǎng)址速記:選修365】 查題解析答案參考,同時(shí)提供大學(xué)網(wǎng)課,選修課 公務(wù)員 ...
液體中晶體形核過(guò)程是一個(gè)十分復(fù)雜且知之甚少的領(lǐng)域,20世紀(jì)初期,新方法-分子動(dòng)力學(xué)模擬的出現(xiàn)開(kāi)始打破局面。液體中晶體形核過(guò)程對(duì)氣候變化、醫(yī)藥生產(chǎn)等領(lǐng)域有重大影響。因此,科學(xué)家利用分子動(dòng)力學(xué)模擬做了大量的工作研究,期望對(duì)該領(lǐng)域有更深入的了解,造福人民生活。
石墨烯的表征大體可分為兩類(lèi): 一類(lèi)為結(jié)構(gòu)評(píng)價(jià),主要是對(duì)制備出的石墨烯片層結(jié)構(gòu)、缺陷濃度、還原程度等方面進(jìn)行表征,以判斷石墨烯質(zhì)量；另 ...
4、消除加工硬化,以利于繼續(xù)冷加工。通過(guò)固溶處理,歪扭的晶格恢復(fù),伸長(zhǎng)和破碎的晶粒重新結(jié)晶,內(nèi)應(yīng)力消除。5、恢復(fù)不銹鋼固有的耐蝕性能。由于冷加工造成碳化物析出,晶格缺陷,使不銹鋼耐蝕性能下降。固溶處理后不銹鋼耐蝕性能恢復(fù)到狀態(tài)。
1、材料氧空位的背景知識(shí)介紹氧空位（Oxygen Vacancy, OVs）的概念早于1960年提出,用于研究和固體表面接觸的氣體。對(duì)于金屬氧化物,如果在特定外界環(huán)境下（比如高溫）,會(huì)造成晶格中的氧脫離,導(dǎo)致氧缺失,形成…
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