作為制備硅納米電子器件的關(guān)鍵一步,如何制備出高密度、尺寸均勻、分布可控的硅 納米量子點(diǎn)成為近年來研究的熱點(diǎn)。 另一方面,器件響應(yīng)速度提高以后,信號(hào)傳輸成為制 約整體運(yùn)行速度的瓶頸,要解決這一問題的途徑是以光互聯(lián)代替目前廣泛采用的電互 聯(lián)。
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樓上幾位已經(jīng)把傳統(tǒng)的制備方法都覆蓋了一遍,我來補(bǔ)充一個(gè)近韓國人搞出來的制備方法吧 這套方法牛逼牛逼在可以直接在硅片上合成石墨烯！ 意味著大面積轉(zhuǎn)移的工序可以直接略去。轉(zhuǎn)移石墨烯一直都是個(gè)很頭疼的問題,我們常用的方法是給生長在銅箔上的石墨烯先旋涂上一層PMMA,再用 ...
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芯片制造主要有五大步驟：硅片制備、芯片制造、芯片測試與挑選、裝配與封裝、終測。集成電路將多個(gè)元件結(jié)合在了一塊芯片上,提高了芯片性能、降低了成本。隨著硅材料的引入,芯片工藝逐步演化為器件在硅片上層以及電路層的襯底上淀積。
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上游半導(dǎo)體設(shè)備：1、刻蝕機(jī)：北方華創(chuàng)、中微公司2、光刻機(jī)：上微集團(tuán)、華卓清科3、PVD：北方華創(chuàng)4、CVD：北方華創(chuàng)、中微公司、沈陽拓荊5、離子注入：中科信、萬業(yè)企業(yè)6、爐管設(shè)備：北方華創(chuàng)、晶盛機(jī)電7、檢測設(shè)備：精測電子、華峰測控、長川科技8、清洗機(jī)：北方華創(chuàng)、純科技、盛美半導(dǎo)體9 ...
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如何制備高純硅 ·二、工藝流程及主要設(shè)備1、工藝流程冶金級(jí)硅→酸洗→氧化精煉→真空處理→凝固精煉→太陽能級(jí)硅2、主要設(shè)備：真空中頻感應(yīng)爐、石英陶瓷坩堝、磁場發(fā)生器、電阻爐以及石墨坩堝。
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目前半導(dǎo)體大致分為3代,這里說的第幾代,不是性能更優(yōu)越,后者淘汰前者的關(guān)系。只是材料和器件發(fā)展先后的關(guān)系,三代半導(dǎo)體材料的性能特征各有優(yōu)劣,故應(yīng)用領(lǐng)域各有分工。 代半導(dǎo)體材料的代表是硅和鍺,硅是目…
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非晶硅膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)與制備工藝的關(guān)系非常密切,目前認(rèn)為以輝光放電法制備的非晶硅膜質(zhì)量,設(shè)備也并不復(fù)雜。純硅的制備 硅按不同的純度可以分為冶金級(jí)硅（MG）、太陽能級(jí)硅（SG）和電子級(jí)硅（EG）。
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設(shè)備特點(diǎn)： ★ 全自動(dòng)的封閉系統(tǒng),多重硬件和軟件保護(hù),人性化UI操作界面 ★ 的兼容性：囊括了2"、4"、6"、藍(lán)寶石襯底的制備,一次投資可適用不同產(chǎn)品的生產(chǎn) ★ 300℃濕法藍(lán)寶石襯底腐蝕 ★ 精準(zhǔn)、穩(wěn)定的工藝控制：
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如何制備高純硅 ·二、工藝流程及主要設(shè)備1、工藝流程冶金級(jí)硅→酸洗→氧化精煉→真空處理→凝固精煉→太陽能級(jí)硅2、主要設(shè)備：真空中頻感應(yīng)爐、石英陶瓷坩堝、磁場發(fā)生器、電阻爐以及石墨坩堝。
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主要產(chǎn)品包括機(jī)械消泡器、清釜機(jī)、汽水混合器等化工設(shè)備及配件。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于紡織、印染、造紙、石化、醫(yī)藥、化工、水處理、洗滌劑制造、涂料、油墨油漆等領(lǐng)域,產(chǎn)品因優(yōu)異的性能和完善的售后贏得用戶的廣泛稱贊。歡迎致電咨詢:0510 ...
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amorphous silicon α-Si 又稱無定形硅。單質(zhì)硅的一種形態(tài)。棕黑色或灰黑色的微晶體。硅不具有完整的金剛石晶胞,純度不高。熔點(diǎn)、密度和硬度也明顯低于晶體硅?；瘜W(xué)性質(zhì)比晶體硅活潑?？捎苫顫娊饘?如鈉、鉀等)在加熱下還原四鹵化硅,或用碳等還原劑還原二氧化硅制得。
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該法制備硅溶膠的操作條件可控制,便于優(yōu)化硅溶膠成品的質(zhì)量,是有開發(fā)價(jià)值的電化學(xué)方法。 4 、 膠溶法 。 膠溶法制備硅溶膠是先用酸中和水玻璃溶液形成凝膠,所得凝膠經(jīng)過濾,水洗,然后加稀堿溶液,在加壓加熱條件下解膠即得溶膠。
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區(qū)熔法：如果需要生長及高純度的硅單晶,其技術(shù)選擇是懸浮區(qū)熔提煉,該項(xiàng)技術(shù)一般不用于GaAs。區(qū)熔法可以得到低1011cm-1的載流子濃度。區(qū)熔生長技術(shù)的基本特點(diǎn)是樣品的熔化部分是完全由固體部分支撐的,不需要坩堝。柱狀的高純多晶材料固定于卡盤,一個(gè)金屬線圈沿多晶長度方向緩慢移 …
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高性能氮化硅的制備及其性能研究-作為結(jié)構(gòu)陶瓷,氮化硅陶瓷材料具有優(yōu)良的耐磨、耐腐蝕、耐高溫性能以及良好的抗熱震性能,廣泛應(yīng)用于航空航天、機(jī)械、電子電力、化工等領(lǐng)域。采用適當(dāng)?shù)臒Y(jié)助劑可有效提高氮化硅陶瓷材料的熱導(dǎo)...
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本文嘗試對(duì)鑄錠多晶、鑄錠單晶和高效多晶的晶體微結(jié)構(gòu)、缺陷分布及生長機(jī)理等進(jìn)行系統(tǒng)對(duì)比,分析晶體生長方式對(duì)晶體微結(jié)構(gòu)的作用規(guī)律。對(duì)現(xiàn)有及潛在的晶硅表征技術(shù),本文亦進(jìn)行了詳細(xì)的討 …
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在線咨詢公司采用先進(jìn)的冷等靜壓成型-氣氛壓力燒結(jié)工藝,實(shí)現(xiàn)了高性能氮化硅陶瓷制品的制備；大量引進(jìn)國內(nèi)外先進(jìn)設(shè)備,保證了產(chǎn)品的質(zhì)量,實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品的批量化生產(chǎn)。公司生產(chǎn)的規(guī)格Φ0.8-Φ180mm氮化硅陶瓷球材料性能已達(dá)到ASTMFaI級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。
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中國粉體網(wǎng)訊 介孔二氧化硅材料的簡介 介孔材料是一種孔徑介于微孔與大孔之間的新型材料。國際純粹和應(yīng)用化學(xué)協(xié)會(huì)(IUPAC)根據(jù)孔徑大小的不同,將多孔材料分為三類：小于2nm的為微孔(microporous)材料；介于2-50nm的為介孔(mesoporous)材料 ...
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本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體外延材料制備領(lǐng)域,尤其涉及一種LPE306ID及NMC-630A硅外延設(shè)備用噴淋裝置。背景技術(shù)LPE306ID設(shè)備是意大利LPE公司生產(chǎn)的全自動(dòng)外延設(shè)備,主要用于VDMOS和IGBT產(chǎn)品外延片的生產(chǎn),適合6-8英寸厚層參數(shù)。LPE306ID設(shè)備上的噴淋器,原來的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為,活動(dòng)式連接,連接桿穿過 …
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球形硅微粉技術(shù)是以價(jià)格低廉的天然優(yōu)質(zhì)粉石英礦物為基本原料,現(xiàn)采用兩種主要工藝制成：1、采用溶膠-凝膠技術(shù),在分散劑和球形催化劑存在的條件下,制備出符合電子封裝材料要求的高純球形納米非晶態(tài)硅微粉；2、采用火焰法或離子火焰法熔融成球型的非晶態(tài)硅微粉。
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余罡 地址 311300 浙江省杭州市臨安市青山湖街道大園路958號(hào)1幢室 摘要 本發(fā)明提供一種高導(dǎo)電率一氧化硅的生產(chǎn)設(shè)備及方法,涉及納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,所述設(shè)備包括反應(yīng)裝置、與所述反應(yīng)裝置管路連通的真空泵、與所述反應(yīng)裝置管路 ...
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此種制備硅溶膠的方法, 減少了設(shè)備投資,縮短了生產(chǎn)周期,同時(shí)也減少了廢水排放。并且即使在低溫 度下用此種方法制備的硅溶膠也不膠化,避免形成固體的聚硅酸,解決了硅溶 膠在寒冷地區(qū)使 …
在線咨詢內(nèi)容來源：礦石粉碎設(shè)備 http://m.nkfayrb.cn
始于1987，近30年來只專注于礦機(jī)領(lǐng)域，從初的技術(shù)引進(jìn)到一大批自主研發(fā)的技術(shù)的成功應(yīng)用于實(shí)際生產(chǎn)作業(yè)，敢于創(chuàng)新、追求的世邦團(tuán)隊(duì)始終堅(jiān)持以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、專業(yè)的技術(shù)、誠的服務(wù)，幫助客戶創(chuàng)造更大收益，用實(shí)際行動(dòng)來推動(dòng)世界礦機(jī)制造行業(yè)的發(fā)展。
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