2020年11月10日 項(xiàng)目分兩期建設(shè),一期總投資5億元,主要建設(shè)6英寸碳化硅基電力電子芯片生產(chǎn)線,生產(chǎn)碳化硅芯片等產(chǎn)品。 明年4月將正式投產(chǎn) 英諾賽科氮化鎵項(xiàng)目預(yù)計(jì)本月底通線試產(chǎn)

2020年5月13日 為加快實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略,由復(fù)旦大學(xué)與華大半導(dǎo)體聯(lián)合申報(bào)的上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究于2020年2月被上海市科委批準(zhǔn)建立。通過與半導(dǎo)

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12.風(fēng)險(xiǎn)提示半導(dǎo)體周期持續(xù)下行,貿(mào)易摩擦拉長周期下行的時(shí)間產(chǎn)品迭代速度較慢,國內(nèi)競爭者第三代半導(dǎo)體之SiC研究框架迅速成長制造過程中核心設(shè)備和原材料遭到禁運(yùn),對(duì)

2019年8月21日 8月20日,由中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所先進(jìn)能源材料工程實(shí)驗(yàn)室主辦的2019碳化硅前沿研究青年科學(xué)家論壇在寧波材料所成功舉行。來自中科院上海硅酸鹽所、大連理工

2018年3月29日 3月24日,山西省科技廳組織專家對(duì)中國科學(xué)院山西煤炭化學(xué)研究所承擔(dān)的山西省科技重大專項(xiàng)"3噸/年高比表面積碳化硅的連續(xù)化生產(chǎn)技術(shù)"項(xiàng)目進(jìn)行了驗(yàn)收。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、

2016年12月21日 山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司和山東大學(xué)"碳化硅晶體制備關(guān)鍵技術(shù)群" 群包含了晶體生長裝備、籽晶成核控制等技術(shù)的國內(nèi)發(fā)明10余項(xiàng)。應(yīng)

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2021年1月11日 寧波材料所碳化硅先驅(qū)體研究取得進(jìn)展 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所先進(jìn)能源材料工程實(shí)驗(yàn)室經(jīng)過規(guī)劃論證,將"高性能先驅(qū)體分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與陶瓷轉(zhuǎn)化"作為學(xué)科發(fā)

五耐集團(tuán)發(fā)明包括微孔剛玉磚、碳復(fù)合磚、微孔模壓炭塊、微孔鋁碳磚、鐵水預(yù)處理用鋁碳化硅碳磚、耐酸磚、低蠕變系列耐材等10項(xiàng),為國內(nèi)煉鐵系統(tǒng)耐材龍頭企業(yè),

新型各種碳化硅配方,碳化硅微粉/砂輪/陶瓷/耐火材料/纖維/薄膜/晶片晶須/復(fù)合材料,含技術(shù)配方,材料名稱,數(shù)據(jù)比例,制作方法,生產(chǎn)工藝,貨到付款,

2018年12月20日 生物工程、醫(yī)藥和醫(yī)療診治等領(lǐng)域高新技術(shù)研發(fā)提供了先進(jìn)實(shí)驗(yàn)平臺(tái),支撐用戶取得一批國際成果,為提升中國的綜合科技實(shí)力作出了不可替代的重要貢獻(xiàn),帶動(dòng)和促進(jìn)了相關(guān)

2019年5月7日 二期項(xiàng)目占地約100畝,將布局目前全球進(jìn)的扇出型封裝技術(shù)工藝,生產(chǎn)高科技智能芯片。二期項(xiàng)目實(shí)施后,通富微電將適時(shí)啟動(dòng)三期建設(shè)。

2019年12月5日 此番三安光電決定在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)投資建設(shè)碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體等的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,與格力電器和先導(dǎo)高芯認(rèn)購70億元

2017年12月14日 近日,寧波材料所所屬二級(jí)所先進(jìn)制造技術(shù)研究所激光與智能能量場(chǎng)制造團(tuán)隊(duì)采用自主研發(fā)的5軸聯(lián)動(dòng)精密激光加工系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)了在高密度碳化硅管上進(jìn)行精密切割和制孔,可在碳

19小時(shí)前 ,耐高溫長壽命抗氧化陶瓷基復(fù)合材料應(yīng)用技術(shù):該項(xiàng)目研制的連續(xù)纖維。 55、增韌碳化硅陶瓷基復(fù)合材料是一種新型戰(zhàn)略性熱結(jié)構(gòu)材料,可以替代金屬材料來解

2018年9月25日 碳化硅的表面改性方法 CN 碳化硅冶煉溫度測(cè)控技術(shù) CN 碳化硅冶煉中回爐料碳硅比的測(cè)定方法 CN 一種冶煉碳化硅的方法及其裝置 CN 單晶碳化硅薄膜的制造

2021年2月3日 科技成果產(chǎn)業(yè)落地企業(yè)——北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱天科合達(dá))致力于碳化硅晶片生產(chǎn),解決關(guān)鍵核心技術(shù)難題,打破國際壟斷,成為全球主要碳化硅晶片生產(chǎn)企業(yè)

2021年1月11日 項(xiàng)目落戶貴安新區(qū),將按照"化、綠色化、集約化"的要求,采用國際的先進(jìn)設(shè)備和生產(chǎn)技術(shù),建設(shè)仿真絲等紡織面料、特種功能性聚酯薄膜等產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目

2019年8月21日 8月20日,由中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所先進(jìn)能源材料工程實(shí)驗(yàn)室主辦的2019碳化硅前沿研究青年科學(xué)家論壇在寧波材料所成功舉行。來自中科院上海硅酸鹽所、大連理工

生產(chǎn)技術(shù)一、 生產(chǎn)工藝 1. 碳化硅 原理:通過石英砂、石油膠和木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而 成,主要反應(yīng)機(jī)理是 SiO2+3CSiC+2CO。 碳化硅電阻爐制煉工藝: